Постоянные запоминающие устройства

Репрограммируемые ПЗУ

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) делятся на два основные вида:

1. на основе МОП-матриц, в которых между металлическим затвором и слоем изолирующего оксида осаждается тонкий слой нитрида кремния. Отсюда и название технологии изготовления МНОП – металл – нитрид – оксид – полупроводник. Этот материал имеет свойство сохранять электрический заряд (положительный или отрицательный в зависимости от материала МОП-матрицы) после подачи на затвор транзистора программирующего импульса. Амплитуда этого импульса в несколько раз превышает напряжение источника питания ПЗУ в рабочем режиме (+ 5 В) и достигает 20 30 В. Длительность программирующего импульса составляет порядка десятков миллисекунд. При отсутствии дополнительных сигналов программирования или при отключении источника питания заряд в слое нитрида кремния будет сохраняться достаточно долго (гарантия порядка 10 лет).

   Стирание информации в РПЗУ данного вида производится также электрическим путем. Часто допускается возможность не только общего стирания всего объема информации, но и избирательное (пословное) стирание с последующим выполнением пословной записи. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.7, а в табл. 12.3 – их параметры [1].

   

   
   Рис. 12.7. Функциональные обозначения РППЗУ с электрическим стиранием информации

   Таблица 12.3. Параметры РПЗУ на основе МОП-матриц

   Обозначение БИС	Технология изготовления	Информационная емкость, бит	Время выборки, нс
   К1601РР1	МНОП	1Кx4	1,5
   К505РР1	ТТЛШ	256x8	0,85
2. РПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым (УФ) облучением кристалла. Облучение производится в течение 10 20 минут через прозрачную кварцевую крышку на БИС РПЗУ. Примеры РПЗУ данного типа приведены на рис. 12.8, а в табл. 12.4 – их параметры [1].
   

   
   Рис. 12.8. Функциональные обозначения РППЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации

   Таблица 12.4. Параметры РПЗУ с УФ-стиранием информации

   Обозначение БИС	Технология изготовления	Информационная емкость, бит	Время выборки, нс
   К573РФ1	ЛИЗНОП	1Кx8	0,45
   К573РФ2	ЛИЗНОП	2Кx8	0,9

Ключевые термины

Масочные ПЗУ – устройства однократно программируемой памяти.

Программируемые ПЗУ (ППЗУ) - диодные или транзисторные матрицы, программируемые однократно пользователем.

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) – устройства с возможностью стирания и перезаписи информации.

Принятые сокращения

ППЗУ – программируемое ПЗУ.

РПЗУ - репрограммируемое ПЗУ.

Краткие итоги

ПЗУ предназначены для хранения неизменной информации. В зависимости от внутренней организации их можно программировать либо однократно на заводе-изготовителе, либо однократно с помощью специальных устройств-программаторов, либо многократно после стирания информации (ультрафиолетовым облучением или электрическим путём).

Набор для практики

Вопросы для самопроверки

1. Перечислите типы ПЗУ.
2. Как записывается логическая 1 в диодной матрице?
3. Как записывается логический 0 в диодной матрице?
4. Как записывается логическая 1 в матрице биполярных транзисторов?
5. Как записывается логический 0 в матрице биполярных транзисторов?
6. Как записывается логическая 1 в матрице полевых транзисторов?
7. Как записывается логический 0 в матрице полевых транзисторов?
8. Какова типичная разрядность чисел, записываемых в ПЗУ?
9. Перечислите типы репрограммируемого ПЗУ.